扩散炉 / 氧化炉
扩散炉 / 氧化炉是半导体生产前工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金和烧结等工艺。水平管式炉的设计考虑了硅片生产的多种工艺性能需要，具有最大生产能力和优越的性能指标。
关键词：半导体 光伏 工业炉
所属分类：
产品描述
扩散炉 / 氧化炉是半导体生产前工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金和烧结等工艺。水平管式炉的设计考虑了硅片生产的多种工艺性能需要，具有最大生产能力和优越的性能指标。
配套工艺
- 干氧氧化、湿氧氧化、DCE 氧化、氮氧化硅氧化等。
产品特点
- 高精度温度控制，多点控温，温度均匀
- 对温度、气体流量、阀门动作等实现自动控制
- 采用进口耐腐蚀不锈钢管件、阀门，确保气路气密性
- 完善的报警功能及安全互锁装置
主要技术参数
- 适用硅片尺寸：2‑8 英寸
- 可配工艺管数量：1‑5 管 / 台
- 工作温度范围：500℃‑1250℃
- 恒温区长度：可根据装片量确定
- 流量精度满足：±0.5% F.S
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