单壁碳纳米管精密生长炉
单壁碳纳米管的生长对温度极度敏感。本设备采用精密热场仿真设计，实现 ±1 ℃的超高温度均匀性，精准控制手性，有效提升半导体型单壁碳管的占比与质量。
关键词：半导体 光伏 工业炉
所属分类：
产品描述
| 设备名称 | SY‑SW200 单壁碳纳米管设备 |
|---|---|
| 目标碳纳米管 | 单壁碳纳米管 (SWCNT) |
| 核心工艺 | 高精度催化裂解生长 |
| 加热方式 | 硅钼棒 (MoSi₂) 加热 |
| 加热温度 | ＜1500 ℃ |
| 控温系统 | 多段独立控温 |
| 温度均匀性 | ±1 ℃（超高精度） |
| 有效口径 | Φ200 mm（精密反应腔） |
| 工位配置 | 1‑4 工位可选（灵活定制） |
| 产能 | ＞30g / 小时 / 工位 |
| 适用场景 | 透明导电膜、半导体材料、高端传感器 |
极致均匀性
单壁碳纳米管的生长对温度极度敏感。本设备采用精密热场仿真设计，实现 ±1 ℃的超高温度均匀性，精准控制手性，有效提升半导体型单壁碳管的占比与质量。
硅钼棒加热
采用高性能硅钼棒 (MoSi₂) 作为发热体，耐高温、抗氧化、寿命长，完美适配单壁管生长所需的超高温度环境（通裕＞1500 ℃）。
精细流场控制
Φ200 mm 口径专为精密流化床或固定床设计，配合高精度气体质量流量计（MFC），实现气固反应的精准调控。
模块化多工位
提供 1‑4 工位灵活配置方案。多工位设计允许在同一台设备上并行测试不同催化剂或工艺配方，极大加速研发进程；量产模式下则显著提升产出密度。
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