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TOPCon硼扩装备解决方案
无锡松煜科技在TOPCon电池生产装备方面，积累多年经验，可提供TOPCon使用设备有：硼磷共扩炉、磷/退火共扩炉、LPCVD、PECVD(多晶硅三合一)、ALD管式原子层沉积氧化铝、PECVD(SiNx、SiON)等。
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2022
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扩散炉的应用
扩散炉用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。 扩散工艺的主要用途是在高温条件下对半导体晶圆进行掺杂，即将元素磷、硼扩散入硅片，从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布，以便建立起不同的电特性区域。 新的低压磷扩散利用低压氛围可以得到更好的方块电阻均匀性和更大的生产批量，同时对环境的影响小。 氧化工艺是使硅片表面在高温下与氧化剂发生反应，生长一层二氧化硅膜。 氧化方法有干氧和湿氧，湿氧包括水汽氧化和氢氧合成两种。
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半导体装备
在光伏电池行业，随着电池片向大尺寸、超薄化、更高产能、更低的表面杂质浓度、更好方阻均匀性和更高能效比方向的发展，传统闭管常压扩散炉已不能满足要求。HORIS D8573AL系列低压扩散炉，它对156~162mm尺寸的电池片在每批次产能高达1200片/管甚至更高的情况下，其扩散方块电阻均匀性仍优于4%，与常压扩散炉相比片均能耗降低50%以上，化学品消耗降低更是超过50%，也不用额外增加工艺时间，是高品质扩散的优选与环境友好型的生产方式。未来光伏电池技术的发展，将对新型扩散技术和设备制造水平提出的进一步挑战，光伏行业市场亟待新一代的高性能扩散技术。
立式氧化炉
立式氧化炉(300mm/200mm)是在中高温下通入特定气体（O2/H2/DCE），在硅片表面发生氧化反应，生成二氧化硅薄膜的一种设备。生成的二氧化硅薄膜可以作为集成电路器件前道的缓冲介质层、牺牲氧化层和栅氧化层。
立式退火炉
立式退火炉(300mm/200mm)是在中低温条件下，通入惰性气体（N2），消除硅片界面处晶格缺陷和晶格损伤，优化硅片界面质量的一种设备。
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