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PEVCD化学气相沉积设备
PECVD用于淀积Poly-Si、Si:N4 、SiO2、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜。广泛应用于半导体集成电路、电力、电子、光电子及MEMS等行业的生产工艺中。
关键词：半导体 光伏 工业炉
所属分类：
产品描述
PECVD用于淀积Poly-Si、Si:N4 、SiO2、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜。广泛应用于半导体集成电路、电力、电子、光电子及MEMS等行业的生产工艺中。
设备主要特点
◆对工艺时间、温度、气体流量、阀门动作、反应室压力实现自动控制。
◆采用进口压力控制系统,闭环控制,稳定性强。
◆采用进口耐腐蚀不锈钢管件、阀门，确保气路气密性。
◆具有完善的报警功能及安全互锁装置。
◆具有良好的人机界面，灵活的工艺性能。
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